Vol.7 一文了解EUV光刻技术（ASML）【报告说】

导 读

为了提供波长更短的光源，极紫外光源（EUV）为业界采用。在近日举办的ITF上，IMEC首席执行官带来了ASML的最新消息：ASML已经基本完成作为NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，此系列将面向3nm制程工艺节点，甚至更高精度。不过，这将造成光刻机制造程序更加复杂，同时也将增加芯片的生产成本。

本期【报告说】第7期将从源头出发，分享今年9月25日由ASML的Michael Purvis的对外演讲报告，包含以下六个方面：

◉ EUV的相关背景以及发展历史

◉ 面向半导体光刻大规模生产(HVM)的激光等离子体极紫外光源(LPP-EUV)

◉ ASML的NXE:3400B EUV光刻机

◉ EUV光刻系统: 架构组成

◉ EUV光源的产生原理

◉ EUV光刻的挑战与实践

以下是演讲报告的部分概览：

如需获取完整版（PDF），在公众号后台回复“报告说”，获取领取方式。

来源：ASML

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